纳米级InGaNLED可实现高效率白光

本文摘要：LED灯光的神圣目标就在于以最低能效与最佳成本效益的方式构建白光，而这也仍然是制造商和学术界之间最热门的辩论话题。 传统的途径还包括频率向上翻转、融合高能量的蓝光LED或近紫外线频段，以及具备有所不同波长的萤光粉。 相比于完整的发射器(以萤光粉覆盖面积的LED)，这种途径一般来说以较低的量子效率仿真不几乎的白光光谱。萤光粉的寿命受限也对于白光的整个产品生命周期带给负面影响。

LED灯光的神圣目标就在于以最低能效与最佳成本效益的方式构建白光，而这也仍然是制造商和学术界之间最热门的辩论话题。　　传统的途径还包括频率向上翻转、融合高能量的蓝光LED或近紫外线频段，以及具备有所不同波长的萤光粉。　　相比于完整的发射器(以萤光粉覆盖面积的LED)，这种途径一般来说以较低的量子效率仿真不几乎的白光光谱。萤光粉的寿命受限也对于白光的整个产品生命周期带给负面影响。

　　其他的解决方案融合了以有所不同峰值波长升空的多个LED芯片，然而，某种程度无法为确实白光带给大自然倒数的闪烁过程。　　香港大学(UniversityofHongKong)的研究人员则寄予厚望可从单晶LED中获得宽频白光。

在最近公布于《ACSPhotonics》期刊中的「宽频InGaNLED单芯片」(MonolithicBroadbandInGaNLight-EmittingDiode)一文中，研究人员公开发表可在蓝宝石基板生长低铟含量氮化铟镓型氮化镓(InGaN-GaN)量子阱(QW)结构的结果。　　研究人员接着用于矽胶纳米粒子人组作为感测器层，为整个填充展开转印，在整个LED芯片上留给纳米柱图案人组，范围还包括从直径约150nm的纳米尖端到直径约7mu;m的微碟型共振腔。

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